23.04.2025

Китайские учёные создали самую быструю энергонезависимую память

Учёные из Фуданьского университета разработали новую технологию полупроводниковой памяти под названием PoX, демонстрирующую высочайшую скорость записи данных — всего лишь 400 пикосекунд (или 0,4 наносекунды) на один бит. Благодаря этому достижению стало возможным осуществлять до 25 млрд операций в секунду, что превышает предыдущий рекорд энергонезависимых флеш-накопителей примерно в 12,5 тысяч раз.